Mae amser gwastadedd Miller bron yn sero (gweler Ffigur 3) ac mae cyfanswm y golled newid yn cael ei leihau o leiaf 70%
Oct 19, 2022| Mae amser gwastadedd Miller bron yn sero (gweler Ffigur 3) ac mae cyfanswm y golled newid yn cael ei leihau o leiaf 70%
Fel y dangosir yn Nhabl 1, gyda'r un RDS(ON), mae gan gallium nitride gynhwysedd parasitig llai, ac mae Ciss a Crss yn 1/12 ac 1/23 o Si CoolMOS, yn y drefn honno, gan arwain at gyflymder newid cyflymach. Ym mraich pont gyflym BTPPFC, mae'r amser gorgyffwrdd cerrynt a foltedd yn gostwng mwy na 88% (gweler Ffigur 2). Mae amser llwyfandir Miller bron yn sero (gweler Ffigur 3) ac mae cyfanswm y golled newid yn cael ei leihau o leiaf 70%.
Mae cost InnoGaN yn llai ac mae ganddo well llinoledd (gweler Ffigur 4). Pan fo Vds yn isel, mae Coss GaN yn llawer llai na Si MOS, a bydd gan Si broses treiglo llethr. Gellir gweld o donffurf y system bod colled GaN wrth newid gorgyffwrdd yn llawer llai na'r hyn a geir yn Si MOS, ac mae Dv/dt GaN yn segment t2-t3 yn llai na'r hyn a geir yn Si MOS, felly mae'r Mae sŵn EMI a gynhyrchir hefyd yn llai.
