Transistor pŵer a transistor lluniau

Mae Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co, Ltd (SChitec) yn fenter uwch-dechnoleg sy'n arbenigo mewn cynhyrchu a gwerthu ategolion ffôn. Mae ein prif gynnyrch yn cynnwys chargers teithio, chargers ceir, ceblau USB, banciau pŵer a chynhyrchion digidol eraill products.All yn ddiogel ac yn ddibynadwy, gyda styles.products unigryw pasio tystysgrifau fel CE, Cyngor Sir y Fflint, ROHS, UL, ABCh, C-Tic, ac ati , Os oes gennych ddiddordeb mewn, gallwch gysylltu â ceo@schitec.com yn uniongyrchol. 

Arhoswch Codi Tâl yn Ddiogel gyda SCchitec

Transistor pŵer a transistor lluniau

Mae'r transistor pŵer yn cael ei drosi'n llythrennol yn drawsydd enfawr gan y Transistor Cawr Saesneg. Mae'n Transistor Cyffordd Deubegwn (BJT) sy'n gallu gwrthsefyll foltedd uchel a cherrynt uchel, felly fe'i gelwir weithiau yn Power BJT. Ei nodweddion yw: foltedd gwrthsefyll uchel. Mae'r presennol yn fawr, mae'r nodweddion newid yn dda, ond mae'r cylched gyrru yn gymhleth ac mae'r pŵer gyrru yn fawr; mae egwyddor weithredol y GTR a'r transistor cyffordd deubegwn cyffredin yr un peth.

Ffototransistor

Mae ffototransistor yn ddyfais ffotofoltäig sy'n cynnwys dyfais tri therfynell fel transistor deubegwn neu transistor effaith maes. Mae golau'n cael ei amsugno yn rhanbarth gweithredol dyfeisiau o'r fath, gan gynhyrchu cludwyr a gynhyrchir gan luniau sy'n cynhyrchu enillion ffotogerrynt trwy fecanwaith chwyddo trydanol mewnol. Mae'r ffototransistor yn gweithredu ar y tri phen, felly mae'n hawdd cyflawni rheolaeth electronig neu gydamseru trydanol. Y deunydd a ddefnyddir ar gyfer ffototransistorau fel arfer yw gallium arsenide (GaAs), sydd wedi'i rannu'n bennaf yn ffototransistorau deubegwn, ffototransistyddion effaith maes a dyfeisiau cysylltiedig. Mae ffototransistyddion deubegwn fel arfer yn cael enillion uchel ond nid ydynt yn gyflym iawn. Ar gyfer GaAs-GaAlAs, gall y ffactor ymhelaethu fod yn fwy na 1000 ac mae'r amser ymateb yn fwy na nanoseconds. Fe'i defnyddir yn gyffredin mewn ffotosynwyryddion ac mewn ymhelaethu optegol. Mae gan ffototransistor effaith maes gyflymder ymateb cyflym (tua 50 picoseconds), ond yr anfantais yw bod yr ardal ffotosensitif yn fach ac mae'r cynnydd yn fach (gall y ffactor ymhelaethu fod yn fwy na 10), a ddefnyddir yn aml fel cyflymder uchel iawn ffotosynhwyrydd. Ynghyd â hyn, mae yna lawer o ddyfeisiau optoelectroneg planar eraill sy'n cael eu nodweddu gan gyflymder cyflym (amser ymateb o ddegau o picoseconds) ac sy'n addas ar gyfer integreiddio. Disgwylir i ddyfeisiau o'r fath ddod o hyd i gymhwysiad mewn integreiddio optoelectroneg.