Transistor effaith maes

Mae Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co, Ltd (SChitec) yn fenter uwch-dechnoleg sy'n arbenigo mewn cynhyrchu a gwerthu ategolion ffôn. Mae ein prif gynnyrch yn cynnwys chargers teithio, chargers ceir, ceblau USB, banciau pŵer a chynhyrchion digidol eraill products.All yn ddiogel ac yn ddibynadwy, gyda styles.products unigryw pasio tystysgrifau fel CE, Cyngor Sir y Fflint, ROHS, UL, ABCh, C-Tic, ac ati , Os oes gennych ddiddordeb mewn, gallwch gysylltu â ceo@schitec.com yn uniongyrchol. 

Arhoswch Codi Tâl yn Ddiogel gyda SCchitec

Transistor effaith maes

Ystyr "effaith maes" yw bod egwyddor weithredol y transistor hwn yn seiliedig ar effaith maes trydan y lled-ddargludydd.

Transistor effaith maes Transistor sy'n gweithredu ar yr egwyddor o effaith maes. Mae transistorau effaith maes yn eu tro yn cynnwys dau brif fath: FETs Cyffordd (JFETs) a FETs Lled-ddargludyddion Metel-Ocsid (MOS-FETs). Yn wahanol i BJT, dim ond un math o gludwr (cludwyr mwyafrif) y mae FETs yn dargludol yn drydanol ac felly cyfeirir atynt hefyd fel transistorau unbegynol. Mae'n perthyn i ddyfais lled-ddargludyddion a reolir gan foltedd ac mae ganddo fanteision ymwrthedd mewnbwn uchel, sŵn isel, defnydd pŵer isel, ystod ddeinamig fawr, integreiddio hawdd, dim dadansoddiad eilaidd, a man gweithio diogel eang.

Effaith y maes yw newid cyfeiriad neu faint y maes trydan cymhwysol yn berpendicwlar i wyneb y lled-ddargludydd i reoli'r dwysedd neu'r math o gludwyr mwyafrif yn yr haen dargludol lled-ddargludyddion (sianel). Mae'n gerrynt wedi'i fodiwleiddio â foltedd yn y sianel y mae ei gerrynt gweithredu yn cael ei gludo gan gludwyr mwyafrif yn y lled-ddargludydd. Mae transistor o'r fath lle mai dim ond un math o gludwr pegynol sy'n cymryd rhan mewn dargludiad hefyd yn cael ei alw'n transistor unbegynol. O'i gymharu â transistorau deubegwn, mae gan transistorau effaith maes nodweddion rhwystriant mewnbwn uchel, sŵn isel, amlder terfyn uchel, defnydd pŵer isel, proses weithgynhyrchu syml a nodweddion tymheredd da. Fe'u defnyddir yn eang mewn cylchedau mwyhadur amrywiol, cylchedau digidol a chylchedau microdon. Arhoswch. Transistor effaith maes metel sy'n seiliedig ar silicon 0-lled-ddargludyddion ocsid (MOSFETs) a transistorau effaith maes rhwystr Schottky sy'n seiliedig ar gallium arsenide (MESFETs) yw'r ddau dranistor effaith maes pwysicaf. Dyma ddyfeisiau sylfaenol cylchedau integredig cyflym iawn MOS LSI a MES.